8月8日上午，广晟控股集团控股上市公司中金岭南韶关冶炼厂（以下简称“韶冶厂”）半导体材料实验室采用自主设计产业化单晶炉，结合自主研发的磷化铟单晶生长技术，成功制备出行业领先的高质量磷化铟单晶，标志着其在磷化铟单晶制备技术领域取得了突破性进展。
磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，被广泛应用于生产射频器件、光模块、Mini/Micro LED、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。
相较砷化镓较为成熟的单晶制备技术，磷化铟单晶制备涉及高温高压的单晶生长环境，过程控制难度较大，成晶率不高。目前，由于在磷化铟单晶生长设备和技术方面存在较高壁垒，磷化铟市场参与者较少，且以少数几家国外厂商为主。韶冶厂此次自主成功制备磷化铟单晶，标志着在半导体领域又迈出了坚实一步。
磷化铟单晶制备取得的突破性进展是中金岭南贯彻落实省委“1310”具体部署，加快关键核心技术攻关，深度延伸有色及稀贵金属产业链，推动高水平科技自立自强的有力举措。目前，项目团队已完成砷化镓、磷化铟单晶制备技术中试验证，从设备装配到工艺调控等一系列生产要素均已实现高度耦合，为后续半导体衬底材料的产业化、项目化打下了坚实基础