近日，广晟集团控股上市公司国星光电与华南理工大学等高校研究所联合建立联合创新平台——广东省半导体微显示企业重点实验室在国际著名期刊《ACS Nano》发表最新研究成果“Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss”（基于重吸收光子调控结构的量子点LED器件发光效率突破200 lm/W）。该成果刷新了同类器件最高发光效率的行业纪录，随着该技术的商业化进程，国星光电在Mini/Micro LED显示器件领域的技术优势将得到进一步巩固。

　　论文封面、原理以及效率对比

　　量子点色转换技术是Mini/Micro LED、OLED以及LCD宽色域显示的共性关键技术，在超清显示、虚拟显示等新兴领域极具应用潜力。然而硒化镉、钙钛矿等材料在量子点理论上的高发光效率与封装制成LED器件后低下的发光效率矛盾已困扰学界与行业多年，严重制约了量子点LED显示技术的实际应用。广东省半导体微显示企业重点实验室提出直方通孔复合量子点色转换结构及其强化出光机制，显著减少重吸收损耗，成功突破量子点LED器件发光效率瓶颈，获得超过200 lm/W的同类器件最高发光效率行业纪录（经CNAS认证第三方机构检测）。

　　未来，国星光电将继续加强产学研深度融合，加大关键核心技术攻坚力度，加快科技创新成果转化速度，努力刷新全球半导体微显示技术领域新高度，为国新光电高质量发展、广晟集团奋进世界500强提供强劲的动力。

　　▎论文信息：

　　Jia-Sheng Li, Yong Tang, Zong-Tao Li*, Jie-Xin Li, Hao-Chung Kuo et al., Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss, ACS Nano 15(1): 550-562, 2021.

　　▎文章链接：

　　https://doi.org/10.1021/acsnano.0c05735